 |
RPS-6015-4D
Rps-sonic
RPS-6015-4D
超音波トランスデューサーは、材料の圧電効果により、超音波周波数に共鳴し、電気信号を機械的振動に変換する圧電セラミックです。トランスデューサーが送信機として使用されると、励起源から送信される電気振動信号は、トランスデューサーの電気エネルギー貯蔵要素の電界または磁場の変化を引き起こし、トランスデューサーの機械的振動システムが何らかの効果を介して変化します。駆動力が生成され、それを振動させ、それにより、トランスデューサーの機械的振動システムと接触して媒体を推進し、音波を媒体に振動させて放射します。
クラスター化されたトランスデューサーを使用して、単一の超音波スタックを駆動できます。単一の大きな直径のトランスデューサーと比較して、それぞれ小型トランスデューサーはより小さな直径のピエゾセラミクスを持ち、より均一なピエゾセラミックプレストレスを可能にします。
ピエゾセラミクスの直径は小さくなるため、ピエゾセラミック熱の放射状の熱伝導経路は小さくなります。したがって、熱はピエゾセラミック末梢により簡単に伝導でき、ピエゾセラミクスは特定の対流空気の流れのために涼しいままでなければなりません。
さらに、ピエゾセラミクスが小さいほど、対流空気冷却のために末梢領域が大きくなります。たとえば、単一のØ50mmx 5 mmの厚さピエゾセラミックを使用する単純化されたトランスデューサーを検討してください。 （ここでは、中央のピエゾセラミックボアは無視されています。）ピエゾセラミック容積は9818 mmで3 、末梢領域は785 mmです2。ここで、単一のピエゾセラミックを備えたこのトランスデューサーが、同じ総ピエゾセラミック容積を持つ2つのトランスデューサーに置き換えられていると仮定します（再び、各トランスデューサーに1つのピエゾセラミックのみを想定しています）。この規定により、必要なピエゾセラミック径は35.4 mmで、結果として生じる末梢ピエゾセラミック領域は1112 mmです2。この例では、デュアルトランスデューサーシステムを使用すると、総末梢ピエゾセラミック領域が42％増加し、冷却が大幅に改善される可能性があり、それにより高電力がスルーを許可します。
溶接用の2つの平行スタックを備えた高出力超音波トランスデューサー
アイテム | パラメーター |
頻度 | 14.5〜15.1kHz |
力 | 4200W |
インピーダンス | 14 |
キャパタンス | 18000〜22000pf |
超音波溶接は、さまざまな産業で使用され、熱可塑性材料を結合します。超音波溶接中、高周波の機械的振動と圧縮圧力がプラスチック材料に適用されます。これにより、プラスチック内に分子間摩擦が生じ、融点に到達するのに十分な高さの温度が上昇します。製造環境での大量生産中、ほとんどの場合障害のある超音波溶接システム成分は、振動の作成を担当するトランスデューサーです。トランスデューサーは、高周波電圧を使用して、電気エネルギーを偏光圧電PZT（鉛ジルコン酸チタン酸鉛）多結晶セラミック材料を使用して機械エネルギーに変換します。トランスデューサーは、中央のボルトによってチタン製造されたボディに取り付けられた丸いPZTディスクで構成されています。ボルトは、振動中の脆性結晶内の引張応力を防ぎ、すべての成分間の完全な結合を保証する圧縮プレストレスを作成します。圧電PZT結晶は、線形結合電気方程式および機械的方程式に従って動作します。トランスデューサーアセンブリは、効率と振幅出力を最大化するために、平行共振周波数の近くで振動します。
サービスと出荷
l トランスデューサーの1年間保証。
l 技術的なお問い合わせのためにいつでもお問い合わせください。
l 私たちは海外の顧客にOEMサービスを提供し、またお客様の機密性を維持します。
l 少量のカスタマイズ製品サービスも提供しています。
L Fed-Ex /DHLによる出荷
超音波トランスデューサーは、材料の圧電効果により、超音波周波数に共鳴し、電気信号を機械的振動に変換する圧電セラミックです。トランスデューサーが送信機として使用されると、励起源から送信される電気振動信号は、トランスデューサーの電気エネルギー貯蔵要素の電界または磁場の変化を引き起こし、トランスデューサーの機械的振動システムが何らかの効果を介して変化します。駆動力が生成され、それを振動させ、それにより、トランスデューサーの機械的振動システムと接触して媒体を推進し、音波を媒体に振動させて放射します。
クラスター化されたトランスデューサーを使用して、単一の超音波スタックを駆動できます。単一の大きな直径のトランスデューサーと比較して、それぞれ小型トランスデューサーはより小さな直径のピエゾセラミクスを持ち、より均一なピエゾセラミックプレストレスを可能にします。
ピエゾセラミクスの直径は小さくなるため、ピエゾセラミック熱の放射状の熱伝導経路は小さくなります。したがって、熱はピエゾセラミック末梢により簡単に伝導でき、ピエゾセラミクスは特定の対流空気の流れのために涼しいままでなければなりません。
さらに、ピエゾセラミクスが小さいほど、対流空気冷却のために末梢領域が大きくなります。たとえば、単一のØ50mmx 5 mmの厚さピエゾセラミックを使用する単純化されたトランスデューサーを検討してください。 （ここでは、中央のピエゾセラミックボアは無視されています。）ピエゾセラミック容積は9818 mmで3 、末梢領域は785 mmです2。ここで、単一のピエゾセラミックを備えたこのトランスデューサーが、同じ総ピエゾセラミック容積を持つ2つのトランスデューサーに置き換えられていると仮定します（再び、各トランスデューサーに1つのピエゾセラミックのみを想定しています）。この規定により、必要なピエゾセラミック径は35.4 mmで、結果として生じる末梢ピエゾセラミック領域は1112 mmです2。この例では、デュアルトランスデューサーシステムを使用すると、総末梢ピエゾセラミック領域が42％増加し、冷却が大幅に改善される可能性があり、それにより高電力がスルーを許可します。
溶接用の2つの平行スタックを備えた高出力超音波トランスデューサー
アイテム | パラメーター |
頻度 | 14.5〜15.1kHz |
力 | 4200W |
インピーダンス | 14 |
キャパタンス | 18000〜22000pf |
超音波溶接は、さまざまな産業で使用され、熱可塑性材料を結合します。超音波溶接中、高周波の機械的振動と圧縮圧力がプラスチック材料に適用されます。これにより、プラスチック内に分子間摩擦が生じ、融点に到達するのに十分な高さの温度が上昇します。製造環境での大量生産中、ほとんどの場合障害のある超音波溶接システム成分は、振動の作成を担当するトランスデューサーです。トランスデューサーは、高周波電圧を使用して、電気エネルギーを偏光圧電PZT（鉛ジルコン酸チタン酸鉛）多結晶セラミック材料を使用して機械エネルギーに変換します。トランスデューサーは、中央のボルトによってチタン製造されたボディに取り付けられた丸いPZTディスクで構成されています。ボルトは、振動中の脆性結晶内の引張応力を防ぎ、すべての成分間の完全な結合を保証する圧縮プレストレスを作成します。圧電PZT結晶は、線形結合電気方程式および機械的方程式に従って動作します。トランスデューサーアセンブリは、効率と振幅出力を最大化するために、平行共振周波数の近くで振動します。
サービスと出荷
l トランスデューサーの1年間保証。
l 技術的なお問い合わせのためにいつでもお問い合わせください。
l 私たちは海外の顧客にOEMサービスを提供し、またお客様の機密性を維持します。
l 少量のカスタマイズ製品サービスも提供しています。
L Fed-Ex /DHLによる出荷
